C30B 15/00 - Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]

---

15/02

.

добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]

15/04

.

.

с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов [3]

15/06

.

невертикальное вытягивание [3]

15/08

.

вытягивание вниз [3]

15/10

.

тигли или контейнеры для поддерживания расплава [3]

15/12

.

.

методы двойного тигля [3]

15/14

.

нагревание расплава или кристаллизуемого материала [3]

15/16

.

.

облучением или электрическим разрядом [3]

15/18

.

.

с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье [3]

15/20

.

управление или регулирование (управление или регулирование вообще G05) [3]

15/22

.

.

стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла [3]

15/24

.

.

.

с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений (формоизменяющие матрицы для выращивания из пленки кристаллов с определенными гранями C30B 15/34) [3]

15/26

.

.

.

с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов [3]

15/28

.

.

.

с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами [3]

15/30

.

механизмы для вращения или передвижения расплава или кристалла (флотационные способы C30B 15/28) [3]

15/32

.

держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны [3]

15/34

.

выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей [3]

15/36

.

отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]